《表3 氧化铜 (粗品) 和XX氧化铜EVF填孔对比》

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《酸性蚀刻废液中回收高纯氧化铜》

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表3是400℃煅烧2 h后的氧化铜和XX氧化铜（本公司电镀生产线使用）电镀填孔结果对比。相同实验条件下，自制氧化铜电镀凹陷高达15μm，而XX氧化铜凹陷小于5μm。电镀结果充分说明了自制氧化铜虽然氧化铜纯度、杂质含量和溶解速率等结果符合指标，但其对EVF填孔电镀药水光亮剂有消耗且下凹太大高达15μm左右，因此此自制氧化铜还不能用于EVF填孔电镀，需找出原因解决其对光亮剂消耗和EVF填孔电镀凹陷过大的问题。