《表1 一些重要晶体管的参数Tab.1 Some important transistor’s parameters》
出于系统快速响应的目的,精心设计各MOS管的宽长比,部分重要晶体管参数如表1所示。设计原理如下,为减小输出端的寄生电容,故M20、M22的尺寸应当偏小,而M18、M24承担了输出端绝大部分热噪声,因为偏置电流一定时,噪声电流与宽长比成反比,如式(14),故M18、M24选用沟道长度较大的MOS管。
图表编号 | XD0016816000 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2018.03.05 |
作者 | 李俊宏、冯全源 |
绘制单位 | 西南交通大学微电子研究所、西南交通大学微电子研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
查看“表1 一些重要晶体管的参数Tab.1 Some important transistor’s parameters”的人还看了
- 表1 高氯酸盐的母离子、子离子等重要质谱参数Precursor ions, product ions and other important MS/MS parameters of perchlorate