《表3 退火前后膜层性能变化情况》

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《空间太阳电池阵用ITO玻璃盖片工艺探索》

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图5所示为热处理前后ITO盖片透过率的对比图，经过退火处理后，盖片在400~1 800 nm透过率提高1%左右，对三结砷化镓太阳电池的短路电流的衰降也有所减小。综合以上两点可知，经过退火处理的ITO盖片在导电性能和透过率方面均有所提高。