《表1 3 不同粗糙度下的特征阻抗》
最后,研究RDL的金属表面粗糙度对特征阻抗的影响。所谓表面粗糙度是指材料表面微小峰谷的高低程度和间距情况,粗糙度越小则材料表面越光滑[5]。在制作玻璃基RDL铜线时,通过控制电镀时的电流密度大小可以得到不同粗糙度的RDL铜线。图10分别为电流密度1 ASD和8 ASD的电镀条件下制作出的RDL铜线实物图,ASD为电流密度单位,ASD=A/dm2。通过显微镜观察,可以看出8 ASD电镀条件比1 ASD电镀条件制备的RDL铜线的表面粗糙度更大。利用白光干涉仪,我们可以得到较为精确的粗糙度值,图11分别是使用该仪器观察到的1 ASD和8 ASD电镀条件下铜线表面的三维轮廓图,并测得1 ASD电镀条件下铜线表面粗糙度(Rq)为0.035μm,8 ASD电镀条件下铜线表面粗糙度(Rq)为0.122μm。两种粗糙度的RDL传输线尺寸如表11和表12所示。仿真和实测的结果如图12和表13所示。从结果可以看出,粗糙度的变化对特征阻抗的影响较小。不同粗糙度下,单端或差分布线的仿真TDR曲线几乎重叠在一起,而单端或差分布线的实测TDR曲线差异也不大。
图表编号 | XD0016619100 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.12.20 |
作者 | 吴海鸿、任玉龙、徐健、孙鹏 |
绘制单位 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司、华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
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