《表1 不同SiO2的质量浓度下的阻抗拟合值》

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《化学复合镀Ni-P-SiO_2机制的研究》

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使用基础镀液，改变SiO2的质量浓度，测量空白试样在镀液中刚反应时的交流阻抗图谱，结果如图3所示。图3（a）为完整的交流阻抗图谱，图3（b）为前部放大图。交流阻抗图谱包含两个电容弧。高频电容弧是由双电层的充放电和电化学传递反应导致的，所得电阻为电化学反应电阻；低频电容弧可能是由于膜上存在吸附性物质（如H3PO2、H2PO2-、SiO2微粒等）引起的，所得电阻为膜电阻。等效电路如图4所示。表1为不同SiO2的质量浓度下的阻抗拟合值。由表1可知:加入SiO2微粒后，电化学反应电阻和膜电阻都有很大程度的提高，而且对化学复合镀Ni-P-SiO2的沉积过程具有较大的阻抗作用，可以提高阴极极化，起到细化晶粒的作用。电化学反应电阻增大不利于反应的进行，而膜电阻增大表明膜层吸附性物质增多。加入的SiO2微粒会在镀件表面发生共沉积，增加SiO2的质量浓度可以增大其在镀层中的复合量，导致膜电阻增大。