《表1 P型硅中子辐射等效模型》

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《一种SOILDMOS器件辐射效应仿真研究》

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中子辐射形成的缺陷可在半导体材料原子的禁带内引入新的能级，这就增加了载流子之间复合的机会，降低了少子寿命。另外这些缺陷可以作为陷阱俘获载流子，使其无法参与导电，相当于降低了器件的掺杂浓度，也就是载流子去除效应。与此同时，这些缺陷也可作为载流子的散射中心，进而降低载流子的迁移率。已知中子辐射造成的位移损伤可以等效于在硅间隙中加入了3个能带[9]，见表1、表2。