《表2 N型硅中子辐射等效模型》
中子辐射形成的缺陷可在半导体材料原子的禁带内引入新的能级,这就增加了载流子之间复合的机会,降低了少子寿命。另外这些缺陷可以作为陷阱俘获载流子,使其无法参与导电,相当于降低了器件的掺杂浓度,也就是载流子去除效应。与此同时,这些缺陷也可作为载流子的散射中心,进而降低载流子的迁移率。已知中子辐射造成的位移损伤可以等效于在硅间隙中加入了3个能带[9],见表1、表2。
图表编号 | XD0016612400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2018.07.20 |
作者 | 余洋、乔明 |
绘制单位 | 电子科技大学、电子科技大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |