《表1 锗中部分元素的分凝系数K[3,6]》

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《高纯锗晶体的研究进展》

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杂质在固相与液相中浓度的比例一般用分凝系数K表示，区熔提纯中分凝系数居于主导地位，它决定了杂质分离的难易程度，分凝系数接近1的杂质较难去除，而远离1的杂质较易去除。表1为锗中部分元素的分凝系数。可以看出，大部分元素在锗中的分凝系数很小，在1×10-5～1×10-3之间，可以非常容易地去除[5]。K>1的杂质如B，Si等聚集在锗锭的顶端，需要在顶端将其去除。而K<1的杂质如P，Al等倾向于留在液相里，并随着熔区的移动沉积在锗锭的末端，需要在末端将其去除[3]。