《表1 G波段倍频器的性能比较》

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《基于50 nm GaN HEMT技术的180～220 GHz平衡二倍频器MMIC》

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表1为本文与已报道的太赫兹波范围内的有源二倍频器的性能比较。由表可见，在200 GHz输出频率下，倍频因子2使得W波段输入成为可能。S基技术发展成熟，成本较低，集成密度高，输出功率中等。InP HEMT和GaAs mHEMT由于其优异的高频特性很适用于太赫兹电路研制，工作带宽也很宽，但是输出功率有所欠缺。本文的GaN HEMT相较于以上器件高频性能有所欠缺，但是拥有较高的输出功率。