《表1 二倍频器性能比较》

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《52GHz平衡式二倍频器设计》

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注:1.*为输出加了放大器；2.**为不包括焊盘的芯片面积；3.#为砷化镓赝配高电子迁移率晶体管（Gallium Arsenide Pseudo High Electron Mobility Transistor）。

表1给出了文中的二倍频器与已报道二倍频器的对比。文献[9]、[10]和[12]实现了较高的基频抑制，但文献[9]的直流功耗很高，文献[10]中芯片面积较大，文献[12]的变频损耗较大。文献[10]和[11]均采用了CMOS工艺，实现了低功耗，但均未实现变频增益（Conversion Gain，CG）。与以上文献报道的二倍频器相比，文中的二倍频器在保持较低直流功耗和相对较小面积的同时，实现了较高的变频增益和基频抑制。