《表2 纯Co P (101) 以及Ni、Cu、Ga最优掺杂位置的吸附位点的Co失电子数》

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《磷化钴(101)面析氢性能的第一性原理研究》

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对于4.2%Ni掺杂Co P（101）来说，掺杂A位置、B位置和C位置都会稍微提高自由能，其中在C位置的自由能最接近零（-0.087 e V）.表明掺杂在第二层比第一层Co P（101）面有更好的HER性能.进一步增加掺杂浓度，对于8.3%Ni掺杂来说，其中在BC位置掺杂自由能最接近零（-0.028e V），结构如图3（a）所示.Co-P键长为1.670，Ni-P键长为1.764，∠Ni-H-Co为114.30°.根据Bader电荷分析（表2），吸附位点的Co和Ni分别失去0.348和0.233个电子，Co相对于没掺杂时失去的0.292电子相比，又失去了0.056个电子，Ni相比原来的Co多了0.059个电子，导致吸附氢这一区域电子增多，对氢的吸附能明显减弱.不同浓度掺杂的自由能在图3（b）中示出.掺杂后的态密度图在图3（c）画出.