《表3 试品中C、O、Si的摩尔分数》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《室温硫化硅橡胶涂层厚度对电晕老化特性的影响》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

表3为试品未老化和电晕老化72 h、168 h后，涂层表面C、O、Si元素的摩尔分数表。RTV涂层电晕老化后，由于LMW迁移覆盖表层的Al元素，因此XPS分析无法检测到Al元素。由表3可知，不同厚度涂层表面元素含量存在差异，试品S21和S24之间C、O、Si元素分别相差+0.02%、-0.13%，-0.02%；而试品S41和S44之间C、O、Si元素分别相差+13.34%、-11.71%，-1.7%，表明电晕老化时间越长，涂层的老化程度越高，涂层厚度对表面元素摩尔分数的影响逐渐增大，表现为涂层越厚，其C元素摩尔分数越高，O、Si元素摩尔分数越低。RTV涂层中Si元素的结合态主要有3种，即：Si—（O）2、Si—（O）3、Si—（O）4，由XPS分析结果对涂层进行Si2p分峰拟合操作，从而统计Si元素各结合态的摩尔分数，结果如表4和图10所示。表4中，Si—（O）2、Si—（O）3、Si—（O）4的结合能分别为102.1 e V、102.8 e V、103.4 e V。由表4可知，S21和S24之间Si—（O）2、Si—（O）3、Si—（O）4分别相差+5.1%、+1.8%、-6.9%；S41和S44之间Si—（O）2、Si—（O）3、Si—（O）4分别相差+7.4%、+26.2%、-33.6%，Si元素结合态呈现出Si—（O）2下降，而Si—（O）3、Si—（O）4逐渐增加的趋势；图10中Si2p的分峰也呈现出向电子伏升高方向移动的趋势，由Si—（O）2逐渐过渡到Si—（O）3，再过渡到Si—（O）4。表明随着电晕老化时间的增加，涂层厚度越低，涂层受电晕老化的影响越大，薄涂层中有机硅Si—（O）2越低，高氧化态Si—（O）3和Si—（O）4越高。