《表9 12GHz～20GHz下样品插损检测数据的变化差[4]》

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《高频高速电路用低轮廓铜箔品种发展与应用选择》

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[注1]变差:从12.0GHz到20.0GHz的插损变化差。平均值：同一牌号的两个检测样品在插损变化差的平均值。

关于它的在此方面特性，可以在某覆铜板企业对四个厂家的六款高频高速电路用铜箔品种的12个样品（一个品种，取双重样品可考察它的插损值的分散情况），同时进行测试（采用同一基材、同一样品制作方法与测试条件），对比结果（见表8、表9)[4]。这是一次难得的、在不久前（在2019年下半年）对当前欧日铜箔企业的高端高频高速铜箔的SI性能的“统一考核”。可以从中比较出CF-T9DA-SV/T9FZ-SV水平的提升。