《表3(1-k)-B-θ实验结果》

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《0～3.5 T直流背景磁场下第二代高温超导带材临界电流各向异性测试与分析》

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由图11可知，相比于平行场，垂直场下的2G HTS带材临界电流衰减程度更大。将带材置于低温背场磁体产生的直流外场的临界电流退化率如表3所示，当θ一定时，k随着磁场大小的增大退化现象越明显，而且θ愈大，k愈小，完全符合HTS的各向异性变化趋势。可以看出，Ic和n值随磁场强度和夹角的增大而衰减，并且在磁场较小时的临界电流衰减程度大于在磁场较大时的临界电流衰减程度，Ic的各向异性主要体现在0～40°范围内，直流背场夹角变化对2G HTS带材稳定性影响较大。