《表3 CSNS-II低β椭球腔主要参数》
通过一系列优化设计,得到的CSNS-II低β椭球腔的最终尺寸和主要高频性能参数如表3所示。表4中将设计腔型与国际上主流的椭球腔进行比较,如PEFP、TRASCO、CADS[13]、PIP-II[14]、ESS[15]和SNS[16],主要高频参数相当。高频参数的选择折中考虑了iris半径、耦合系数以及主耦合器的位置,较大的iris半径可以提高耦合系数,但同时降低了Eacc。
图表编号 | XD00148511400 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.08.15 |
作者 | 瞿培华、刘华昌、李波、王云、李阿红、陈强、吴小磊、樊梦旭、彭军、罗喜保 |
绘制单位 | 中国科学院高能物理研究所、散裂中子源科学中心、中国科学院高能物理研究所、散裂中子源科学中心、中国科学院高能物理研究所、散裂中子源科学中心、中国科学院高能物理研究所、散裂中子源科学中心、中国科学院高能物理研究所、散裂中子源科学中心、中国科学院高能物理研究所、散裂中子源科学中心、中国科学院高能物理研究所、散裂中子源科学中心、中国科学院高能物理研究所、散裂中子源科学中心、中国科学院高能物理研究所、散裂中子源科学中心、中国科学院高能物理研究所、散裂中子源科学中心 |
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