《表2 各种刻蚀剂的基本性能》

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《五元环氟化物的合成及应用》

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芯片制造的核心技术之一在于对硅基材料的高精度刻蚀，因此对刻蚀气体不仅要求其形成的等离子体提供丰富的刻蚀粒子，同时还需提供形成阻挡层的前驱物分子以提高刻蚀的选择比和各向异性。目前，能满足使用要求的主要是碳氟化合物，比如四氟甲烷、六氟乙烷、八氟环丁烷等饱和全氟烷烃，然而饱和全氟烷烃的GWP100值很高，四氟甲烷、六氟乙烷、八氟环丁烷的GWP100值依次是6630、11000和9540，属于需要淘汰的高温室气体。因此，亟需设计和开发环境友好、刻蚀性能优异的刻蚀气体来替代全氟烃刻蚀剂。与四氟甲烷、六氟乙烷、八氟环丁烷相比，F8E的GWP100值最低，仅为90。另外，F8E对SiO2的刻蚀速率和刻蚀选择比优于八氟环丁烷[84]（表2），被认为是替代上述饱和全氟烃的理想刻蚀剂之一。