《表3 两种烧结技术所制备NKNS–0.5CB陶瓷样品的性能》

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《钙–硼共掺铌酸钾钠基无铅压电陶瓷的微波制备及性能》

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图8为微波技术1 020℃烧结30 min所制备的陶瓷样品（1 020℃–30 min–WS）与传统技术1 050℃下烧结120 min所制备的陶瓷样品（1 050℃–120 min–CS）的介温谱。由图8可以看出，随温度的升高，两种技术烧结所制备的陶瓷样品相对介电常数都出现2个峰值，分别对应Curie温度点TC和正交–四方相转变温度To–t，TC和To–t分别为275℃和85℃，没有因为烧结方式的不同而有所改变。另外，微波烧结的样品，在Curie温度处具有较大的介电常数，而传统烧结的样品相变温度呈现一定的弥散现象，Feizpour等[21]认为，介电常数主要受致密度和晶粒尺寸的影响较大，致密度高有利于介电常数的增大，较大的晶粒尺寸具有较低的晶界密度，极化时有利于电畴的翻转，从而提高介电常数。另外，根据Buixaderas等[34]报道，晶粒较小的陶瓷样品具有较多的晶界，晶界和缺陷对电畴的移动起钉扎的作用，因而造成相变处介电常数的减少和相变温度的弥散。由表3可以看出，1 020℃–30 min–WS样品较1 050℃–120 min–CS样品具有较高的密度和较大的晶粒尺寸，与Feizpour等和Buixaderas等[21，34]报道的结果相一致。