《表1 CTLCA–0.4样品的EDS点扫描元素分析结果》

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《Ce~(3+)掺杂对0.65CaTiO _3–0.35LaAlO_3陶瓷微波介电性能的影响》

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图4为CTLCA陶瓷在1 325℃保温3 h后的断面扫描电子显微镜（SEM）照片。由图4可以看出，所有组分范围内都得到了致密的双模生长晶粒，没有明显的气孔出现，这种双模分布主要是由于一些小颗粒的快速不连续生长所造成的[10]。其中小晶粒尺寸在0.5～1.0μm之间，大晶粒尺寸在2.0～4.0μm之间。随着Ce3+含量的增加，双模尺寸分布差别会越来越大，晶粒逐渐变平整，晶界边缘的气孔减少，晶粒尺寸先减小后增加。通过对C、D两点的EDS点扫描分析，结果如表1所示。可以发现，A点出现了Ce、O元素的增多，表明椭圆形小颗粒为CeO2杂质。这是因为Ce3+与La3+有不同的离子半径，随着取代量的增加，造成了陶瓷组分的偏析。因为杂质CeO2的存在使CTLCA陶瓷致密度降低。因此，当x=0.2时陶瓷晶粒致密性和均匀性最好，这与图3的CTLCA陶瓷体积密度变化规律基本一致。陶瓷的晶体生长按螺旋位错在晶体表面形成阶梯，当形成二维核的过饱和度发生变化或生长中有杂质吸附时，会形成生长层的重叠。随着Ce3+含量的增加，晶体生长速率发生变化，生长层重叠更明显，这也和环境条件如生长介质温度、热腐蚀、杂质含量等有关[11]。