《表2 不同铬酐与氟化钠浓度条件下导电氧化处理后试样的腐蚀电位和腐蚀电流密度》

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《AlSi10Mg铸造铝合金化学导电氧化工艺研究》

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对在不同铬酐与氟化钠浓度条件下导电氧化处理后试样进行电化学测试，测得的极化曲线以及分析获得相应的腐蚀电位和腐蚀电流密度值如图4及表2所示。可以看出，当铬酐浓度固定为3.5 g/L时，在氟化钠浓度为1.2 g/L时，试样的阳极反应最靠左边，对应的腐蚀电位最高，为-0.676 82 V，腐蚀电流密度最小，为-1.402 3×10-7A/cm2。当铬酐浓度固定为4.0 g/L时，氟化钠浓度为1.6 g/L时试样的腐蚀电流密度最小，为6.451 5×10-10A/cm2，其次才是氟化钠浓度为1.2g/L时处理的试样，但是其腐蚀电位最高，为-0.679 18V。当铬酐浓度固定为4.5 g/L时，氟化钠浓度为1.6g/L时试样的腐蚀电位最高，腐蚀电流密度最小，分别为-0.870 55 V和1.401 5×10-7A/cm2。综合对比可知，铬酐浓度为3.5 g/L，氟化钠浓度为1.2 g/L时所获得的导电氧化膜腐蚀电位最高，腐蚀电流密度最小；因此，AlSi10Mg材料表面耐蚀防护的优选导电氧化处理液成分为铬酐浓度3.5 g/L，氟化钠浓度1.2 g/L，重铬酸钾浓度1.2 g/L。