《表2 多组气压、F2离子浓度下的预电离效果比较》
为探究气压和F2浓度对预电离效应的影响,通过设定不同的工作参数,分别在低初始预电离强度(1×1010 m-3)和高初始预电离强度(1×1014 m-3)下对ArF准分子激光气体放电进行了数值模拟,计算得到多组气压和F2离子浓度下的预电离效果,如表2所示。其中,击穿电压下降比γ的定义为在其他工作参数相同的情况下,高强度预电离下的击穿电压值UH与较低强度预电离时击穿电压值UL下降的比率,用公式可表述为
图表编号 | XD00145021900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.08.01 |
作者 | 苏丹、赵江山、王倩 |
绘制单位 | 中国科学院微电子研究所、北京市准分子激光工程技术研究中心、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所、北京市准分子激光工程技术研究中心、中国科学院大学、中国科学院微电子研究所、北京市准分子激光工程技术研究中心、中国科学院大学 |
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