《表1不同转速下FSW接头平均晶粒尺寸》

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图5为BM和不同转速下FSW接头大角度晶界(high angle boundaries,>15°,HABs)含量分布图。在转速为235 r/min FSW接头的SZ和TMAZ,由于发生动态再结晶,导致区域内晶粒细化以及HABs升高。而在转速为600 r/min时,SZ和TMAZ的HABs相对较低,是因为高转速条件下生成较多马氏体,在EBSD测试过程中位错构成的亚晶被认为晶界,造成小角度晶界比例升高。相比BM,HAZ的HABs提高,是因为HAZ晶界分布中的亚晶界以及细小晶粒在FSW过程中受热回复形成大角度晶界。