《表2 PLA膜表面官能团含量》

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《等离子体处理对PLA膜亲水性及与CNF膜粘附性的影响》

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PLA膜的XPS全谱扫描谱图和XPS-C1s谱图分别见图3—4。由图3可知，低温等离子体处理过后PLA膜的氧元素含量上升。由图4可知，虽然等离子体处理后PLA的化学键基本类型保持不变，但相对含量发生了变化。处理后PLA膜的C—C键和C—H键含量下降，而C—O键和C=O键含量上升。PLA膜表面等离子体处理机理见图5，在等离子体改性PLA膜的过程中，PLA表面甲基—CH4基团中的C—H键被破坏，导致H原子脱离，并与O2在等离子体处理过程中所产生的活性氧发生反应形成OH或HO—C=O等离子状态的自由基，自由基再重新结合在PLA表面的亚甲基—CH3基团上，从而在PLA膜表面形成了羟基和羧基等亲水性的基团[27]。PLA膜表面官能团含量见表2，可知，经过等离子体处理后，PLA膜表面碳元素质量分数由77.87%降到了55.92%，氧元素质量分数由21.63%升到了44.08%。经低温等离子体处理后，PLA膜表面羟基和羧基等亲水性基团的含量提升，羟基质量分数由25.9%增加到36.0%，羧基质量分数由10.3%增加到28.3%，从而改善了PLA膜的表面亲水性。