《表6 硅粉杂质元素含量变化》

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《感应等离子制备纳米硅粉的工艺及性能研究》

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对其纯度进行表征，Si-11样品所用原料记为YL-Si，Si-11样品硅粉记为CP-Si，对其杂质含量进行了测定，氧含量的测定方法为惰气脉冲红外热导法，其余杂质的测定方法为ICP-OES，结果如表6所示。