《表1 HCl吸附于Cu掺杂金红石相TiO2、SnO2、GeO2后的吸附距离和吸附能》
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《Cu掺杂的金红石相金属氧化物半导体吸附HCl气体的光催化性能研究》
式中:为Cu掺杂的含氧空位金红石相TiO2、SnO2或GeO2超晶胞能量;为HCl分子能量;为HCl分子吸附于Cu掺杂的含氧空位金红石相TiO2、SnO2或GeO2表面后体系的总能量。HCl分子吸附于Cu摻杂金红石相TiO2、SnO2、GeO2后的吸附距离和吸附能如表1所示。
图表编号 | XD00140703200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.02.10 |
作者 | 陈杨 |
绘制单位 | 重庆师范大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |