《表1 代表性二面角数据:氧桥连四苯乙烯衍生物发光性质的理论研究》

《表1 代表性二面角数据:氧桥连四苯乙烯衍生物发光性质的理论研究》   提示:宽带有限、当前游客访问压缩模式
本系列图表出处文件名:随高清版一同展现
《氧桥连四苯乙烯衍生物发光性质的理论研究》


  1. 获取 高清版本忘记账户?点击这里登录
  1. 下载图表忘记账户?点击这里登录
注:以度为单位,S0/S1和Δ分别表示S0/S1态平衡构型的几何参数和它们之间的差.

2OTPE的发光性质与C?C双键的扭转、苯环的旋转以及桥连部位的结构形变密切相关.因此在表1中我们列出了与上述扭转、旋转和形变相关的重要二面角C5-C1-C2-C6,C1-C2-C6-C8,C1-C3-C9-O和C3-C9-O-C10的几何参数.可以看出,在S0和S1态的跃迁过程中,对于C?C双键的扭转(C5-C1-C2-C6),gem-2OTPE转动了8.34°,cis-2OTPE则没有发生变化.由此,我们推断cis的桥连方式可以更好地固定C?C双键.对于苯环的旋转(C1-C2-C6-C8),gem-2OTPE改变了11.67°,而cis-2OTPE仅发生了4.56°的变化,说明cis的桥连方式可以更多地限制苯环的旋转.相比于其他的桥连方式(如二亚甲基、间苯二甲醚基等),较短的氧桥所产生的张力可以使桥连部位产生较大的结构形变.分析与之相关的C1-C3-C9-O和C3-C9-O-C10,可以发现gem-2OTPE分别扭转了0.54°和3.65°,而cis-2OTPE分别扭转了3.66°和13.28°,说明cis的桥连方式大大增加了桥连部位的结构形变.为了更好地比较两分子在S0和S1态之间整体的结构变化程度,我们计算了它们的均方根位移(RMSD).RMSD的定义为