《表1 IGCT关断暂态温度依赖参数》

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《IGCT关断暂态温度特性及其电热模型》

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在功率半导体器件模型中，受温度影响的基本物理参数包括载流子寿命τ、迁移率μ、本征载流子浓度ni、载流子饱和漂移速度vsat、碰撞电离系数以及与禁带宽度相关的参数等等。建立电路级器件模型仅需考虑以上分析的主要参数，总结如表1所示。其中，关联参数一项包括了与复合过程相关的本征载流子浓度ni以及考虑载流子非饱和时的迁移率参数μ。以下分别对各参数模型进行说明。