《表3 基于IGCT的MMC仿真计算参数Tab.3 Main circuit parameters of MMC based on IGCT》

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《基于IGCT的高压大容量模块化多电平变换器》

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基于上述损耗分析，如果对MMC的电压、电流和脉冲均按固定的时间间隔（采用1μs）进行离散化，在每个时间间隔内根据电流方向和子模块的导通状态，可以很容易计算得到子模块的导通损耗，根据相邻时间间隔内子模块开关行为，可以计算得到子模块的开关损耗，根据IGCT关断时的电流值，可以计算得到吸收电路的损耗，将一个工频周期内的上述损耗累加，并折算到1s的时间周期内，就得到子模块的损耗。为此在MATLAB针对±160kV/600MVA的半桥式MMC做了仿真计算，电路参数如表3所示。