《表1 不同平台参数对被测PPI芯片关断能量的影响》

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《新型通用混合型直流断路器用IGBT测试平台及测试分析》

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分别改变电感la、电感lb、缓冲电容Cs和MOV。被测PPI芯片的电气应力实验结果如图12所示和见表1。其中，表1中带“*”的各项为基准参数，图12d图例中“2×”表示2个避雷器串联。可以看出，电感la对IGBT芯片集射极电压局部极值Um影响较大，由于此时关断电流仍然较大，因此耗散功率变化明显，对关断能量Emax的影响很大。电感lb则主要影响被测IGBT芯片的最大集射极过电压Umax，因为此时IGBT芯片已经完全关断，所以对关断能量几乎没有影响。缓冲电容对芯片的集射极电压上升时间tr和最大集射极过电压Umax影响显著，对芯片的电流几乎没有影响。缓冲电容的增大可以减小关断能量，但是增大到一定值后，继续增大缓冲电容对减小关断能量的效果不明显。MOV的钳位电压主要决定了芯片的最大集射极过电压Umax，对芯片的关断能量积累影响不大。