《表1 四方、立方LLZO的基本性质》
提高电导率的关键在于制造四面体空隙24d位置的锂空位。从Li3到Li5、Li6体系,增加单胞中的Li+的数目可以让四面体空隙位置的Li+减少,八面体空隙位置的Li+增加,进而提高电导率。2007年Murugan等[8]首次采用固相合成法,在1230oC下烧结制备出了纯立方相石榴石型结构[a=12.9682(6)?;空间群Ia-3d]的Li7La3Zr2O12(LLZO)。随后,Kaeriyama等[30]于1180oC烧结同样合成出纯立方相LLZO。LLZO存在立方相(c-LLZO)和四方相(t-LLZO)两种晶体结构,两种晶体结构示意图及Li1、Li2配位多面体如图1(a)、(b)和(d)所示。两种结构最显著的差别就是Li的占位,在立方相中Li部分占据间隙位,而在四方相中Li占满间隙位。t-LLZO的离子电导率比c-LLZO低了两个数量级,约在10-6S/cm数量级。t-LLZO与c-LLZO存在空间群差异及离子电导率差异,具体见表1。
图表编号 | XD00129760900 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2020.03.05 |
作者 | 姜鹏峰、石元盛、李康万、韩百川、颜立全、孙洋、卢侠 |
绘制单位 | 中山大学、中山大学、中山大学、北京化工大学、中山大学、中山大学、中山大学 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |