《表1 LLZO的掺杂、制备方法及电导率》
锂离子导体材料电导率的提高可以通过提高L离子的浓度和迁移率实现,前者通常通过Zr位引入具有较低价的元素来实现,而后者可以通过增加晶格参数或引入空位来获得,还可以通过掺杂具有较大离子半径或更高价的元素来实现。在早期研究中发现使用固相合成法制LLZO过程中使用的氧化铝坩埚会导致Li+位点被Al3+取代[16],掺杂了Al的LLZO的电导率有所提高。据报道,具有更大离子半径的元素的取代可以扩大Li离子迁移通道的尺寸并增加Li离子的迁移率[17]。La或Zr位点中的二价或三价阳离子的化学取代导致锂含量增加,与离子电导率显着增加相关,在室温高达10-4 S/cm[18]。利用Al3+,Ge4+和Ga3+部分取代Li+位点,因为它们与Li+之间的金属排斥力强于Li离子之间的排斥力,这样通过活化Li离子来提高Li离子的电导率。表1列举了用不同元素对LLZO的掺杂改性得到的立方相石榴石结构LLZO的电导率。
图表编号 | XD0058074200 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.04.01 |
作者 | 吕晓娟、吴亚楠、孟繁丽、赵恒阳、马瑞璟、王青玲 |
绘制单位 | 华北电力大学(保定)环境科学与工程系、华北电力大学(保定)环境科学与工程系、华北电力大学(保定)环境科学与工程系、华北电力大学(保定)环境科学与工程系、华北电力大学(保定)环境科学与工程系、华北电力大学(保定)环境科学与工程系 |
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