《表1 击穿后MOSFET各引脚阻值变化》
同时,MOSFET击穿后除了在残留物产生较为明显特征的外,在各级电阻值上也有明显的变化(如果3个引脚均未断裂),见表1所示。
图表编号 | XD00125269300 严禁用于非法目的 |
---|---|
绘制时间 | 2019.12.15 |
作者 | 吕忠、阳世群、高鹏 |
绘制单位 | 应急管理部四川消防研究所、应急管理部四川消防研究所、应急管理部四川消防研究所 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |
同时,MOSFET击穿后除了在残留物产生较为明显特征的外,在各级电阻值上也有明显的变化(如果3个引脚均未断裂),见表1所示。
图表编号 | XD00125269300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.12.15 |
作者 | 吕忠、阳世群、高鹏 |
绘制单位 | 应急管理部四川消防研究所、应急管理部四川消防研究所、应急管理部四川消防研究所 |
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