《表1 IPC部的分类注释》
第三代半导体器件相关申请专利在IPC部的分布如图4所示,IPC部的分类注释如表1所示。第三代半导体器件相关专利在9个部中均有分布,但主要集中分布于H部“电学”、C部“化学;冶金”、G部“物理”和B部“加工;运输”,H、C、G、B四部合计占比达到99.07%(部分专利跨部分布),其原因在于第三代半导体器件相关技术本身即属于半导体范畴,另外还涉及化学组分、光电技术及其制造工艺。
图表编号 | XD00121804500 严禁用于非法目的 |
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作者 | 李秾、金言、袁芳、郭丽君 |
绘制单位 | 中国科学技术信息研究所、中国工程院战略咨询中心、中国科学技术信息研究所、北京师范大学图书馆 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |