《表3 IPC子类的分类注释》

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《第三代半导体器件专利分析》

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第三代半导体器件相关申请专利在IPC子类的分布如图6所示，IPC子类的分类注释如表3所示。第三代半导体器件相关专利分布在351个子类中，但主要集中分布于H01L子类“半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件”，总体占比达到73.23%，H01类下还主要有H01S“利用受激发射的器件”子类（半导体激光器）。除H01L子类之外，C30B子类“单晶生长”、C23C子类“对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆”、H05B子类“电热；其他类目不包含的电照明”和C04B子类“石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷”和这4个IPC子类也占有较高比例。H01L、C30B、C23C、H05B和C04B这5个IPC子类占比达到81.38%，主要是以第三代半导体材料与器件的制造方法为主[16]。C30B子类对应生长SiC单晶常用的物理气象运输（PVT）法，以及GaN单晶基板制造常用的氢化物气相外延法（HVPE)[17]。C04B子类的存在是因为SiC、GaN和AlN也属于陶瓷材料，其制备方法也可归类到化工与冶金领域，另外一个原因在于，金属Ga主要来自氧化铝厂的副产品。B24B子类则对应单晶片的抛光工艺。