《表2 温度循环试验结果:某电源芯片μ via开裂失效分析及风险评估》
于是,厂家从库存风险批次中抽取420只未加工过的芯片,进行温度循环试验,以评估该批次电源芯片的应用风险。因为模块内PCB板加工时进行3次模拟回流焊,为了准确评估外场模块的风险,在试验开始前先进行3次模拟回流焊,然后进行温度循环试验,温变范围-40~125℃,温变速率10℃/min,高低温驻留时间15min。温度循环试验结果如表2所示,5次循环时测试有9只芯片失效,100次循环时有20只失效,累计有29只失效。
图表编号 | XD001202300 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.11.20 |
作者 | 张丽丽、郭晨城 |
绘制单位 | 中兴通讯股份有限公司、电子信息产品可靠性分析与测试技术国家地方联合工程研究中心、中兴通讯股份有限公司、电子信息产品可靠性分析与测试技术国家地方联合工程研究中心 |
更多格式 | 高清、无水印(增值服务) |