《表1 SiC表面沉积单层成核材料后的表面信息》

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《基于不同成核层的碳化硅基底反射镜特性研究》

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利用WYKO白光干涉仪相移模式测量沉积单层成核材料后的SiC表面，其表面粗糙度信息如表1所示。SiC基底上镀制三种不同成核材料后，与镀膜前相比，沉积Ti层后SiC表面粗糙度Ra由4.82nm下降到4.75nm；沉积Cr、Ge材料后Ra为材料表面粗糙度分别由镀膜前的5.02nm、4.96nm增大到5.81nm和5.18nm，增大数值分别为0.79nm和0.22nm。SiC表面分别沉积Cr、Ti和Ge三种成核材料后，Rq值分别为8.50nm、6.99nm和7.49nm，Rq-Ra的值分别为2.69nm、2.24nm和2.31nm。Rq数值大小提供表面粗糙度均一性信息，说明在SiC表面沉积10nm不同成核层层后其表面尖状特性均一性Ti最优，其次是Ge，再次是Cr。Rt数值给出的是粗糙表面上最高点到最低点距离的单点信息。由表1可以看出，在RB-SiC表面沉积10nm Ti层后，其表面的最高点到最低点的距离变化量最小、其次是Ge。