《表2 图3c中A点EDS分析结果Table 2 EDS analysis of spot A in Fig.3c (at/%)》

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《连接温度对高铌TiAl合金扩散接头组织和强度的影响》

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连接温度是扩散连接中的重要参数，适当提高连接温度能够加速原子之间的扩散，促进界面的结合，但是过高的温度也会使母材及接头性能发生恶化。图3为在连接工艺参数为1000~1200℃/25 MPa/90 min情况下的界面组织。从图中可以看出，当连接温度低于1100℃时，连接界面处无未闭合孔洞且界面清晰垂直，这说明扩散连接过程中，原子扩散并不充分。当连接温度大于1100℃时，连接界面处亦无未闭合孔洞且界面消失，形成相应的扩散连接区域，此时原子扩散较为充分。其中A点为连接界面区域弥散分布的白点，经能谱分析，其为富Nb区域，分析结果如表2所示。