《表2 处理前后涤纶织物表面基团含量变化》
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《低气压等离子体工艺参数对制备超疏水涤纶织物的影响》
从C1s窄谱图来看,原样在282.6、284.4、286.8 eV处分别对应的是C—C、C—O和CO键,而经过处理的试样在286.8 eV处多了一个峰,相对应的是C—Si键[16]。由表2可见,处理后,C—C键、C—O键和CO键的含量均明显下降,这可能是因为在等离子体的作用下,PDMS长链中主链和侧链上的C—Si键和Si—O键被打开,并且发生重组、自聚合,以更稳定的网状结构存在。结合图6(c)可以推测,自聚合而成的薄膜均匀地覆盖在涤纶表面。并且涤纶主链上键能较低的C—C键、CO键被高等粒子打开,形成C*、O*活性位点,从而与表面的PDMS发生自由基聚合反应,使得PDMS薄膜稳定、牢固地保留在织物表面。综上可以推测处理后试样具有优异疏水性和耐水性。
图表编号 | XD00111022700 严禁用于非法目的 |
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绘制时间 | 2019.10.18 |
作者 | 邓佳雯、郭颖、徐利云、张瑞云、俞建勇 |
绘制单位 | 东华大学纺织学院、东华大学纺织面料技术教育部重点实验室、东华大学理学院、东华大学纺织科技创新中心、东华大学纺织学院、东华大学纺织面料技术教育部重点实验室、东华大学纺织学院、东华大学纺织面料技术教育部重点实验室、东华大学磁约束聚变中心、东华大学磁约束聚变中心 |
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