《表1 不同温度下锗样品剥离时间Tab.1 Slicing time at different temperatures for the implanted germanium》

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《硅锗界面热应力的控制及晶圆级GeOI的制备》

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使用冷热台光学显微镜原位观察离子注入后的锗的退火剥离情况。样品A，B，C，D，E为注入H离子的锗样品，注入剂量为6×1016cm-2，注入能量为75 ke V。选择不同的温度，用冷热台光学显微镜原位观察样品的起泡剥离时间。得到表1所示结果，可以得到250℃，10 h为退火的最佳温度和时间。同时，为了缓慢的释放热应力，选择的升温降温速率为1℃/min。