《表2 小型化带通滤波器参数对比Tab.2 Parameters comparison of miniaturization bandpass filters》

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《基于硅基IPD技术的新型S波段带通滤波器设计》

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表2列举了近年发表的小型化带通滤波器的相关文献，其中CMOS工艺在尺寸上有优势，但其片上电感的Q值低（10~20），在实现20%带宽时插损已达-8 d B，超宽带滤波器的插损会得到改善[11]；IPD工艺的电感Q值优于CMOS工艺的，但一般也仅用于较宽带或较低带外抑制场合[12]；基于分布结构的交指MEMS滤波器可实现较窄带宽，且带外抑制较好，但相应的尺寸也变得更大[13]；本文提出的设计方法为较窄带宽、且带外有一定抑制要求的带通滤波器提供了一种解决方法。