《表1 BiVO4和BiVO4/ZnCo-LDH光阳极的EIS阻抗值》

  提示：宽带有限、当前游客访问压缩模式

本系列图表出处文件名：随高清版一同展现

《二元ZnCo-LDH助催化剂对BiVO_4光电化学性能的促进》

1. 获取 高清版本忘记账户？点击这里登录

1. 下载图表忘记账户？点击这里登录

为了进一步探索半导体/电解液界面的电荷传输过程，在1 V（vs RHE），AM 1.5G光源下测量了它们的电化学阻抗谱（EIS）。从它们的Nyquist曲线（图7a）可以看出，BiVO4/ZnCo-LDH光阳极的半圆弧直径较小，这说明其具有更优异的界面电荷传输能力。将所有光阳极的Nyquist曲线用图7b的等效电路图拟合，该等效电路图由几个电容和电阻组成。从表1的拟合结果可以进一步得出BiVO4和BiVO4/ZnCo-LDH（61.29Ω→70.3Ω）的串联电阻（Rs）几乎没有变化，这主要是由于BiVO4与基底（FTO）之间的界面是几乎不变的。BiVO4/ZnCo-LDH的体相电荷转移电阻（Rct，bulk）略微降低（164.9Ω→161.2Ω），表面电荷转移电阻（Rct，trap）大幅降低（162.4Ω→115.9Ω），这说明负载ZnCo-LDH助催化剂可以提高BiVO4表面的电荷传输能力，大大加速了空穴在BiVO4/ZnCo-LDH电极与电解液界面的转移，使得光生空穴注入效率显著增加，该结果与前面对体相、表面电荷分离效率的分析是一致的。