《表2 利用等效电路拟合的的EIS阻抗值》

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《CuS对电极的制备及性能研究》

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为了进一步研究CuS对电极QDSC的性能，本文对光电效率较好的6、10、14层的CuS对电极和水热法制备的CuS对电极进行了电化学阻抗测试（EIS），通过等效电路（插图）拟合实验数据得到的Nyquist谱如图4所示.表2记录的是从Nyquist谱获得的各CuS对电极的串联电阻Rs和传荷电阻值Rct.结合图表可知SILAR法制备的三种CuS对电极中，随着沉积层数的增加，Rs值随之增大.这是因为Rs的值受CuS薄膜的厚度影响，沉积层数越多，膜的厚度越大，Rs的值越大.沉积10层CuS对电极的Rs值为57.47Ω；水热法CuS对电极的Rs值为56.28Ω，二者相差不大.沉积10层CuS对电极的Rct值为38.81Ω，比水热法制备的CuS对电极的Rct值（39.18Ω）小，说明沉积10层的CuS对电极的催化性能更加优异.而沉积层数增加到14层时，对电极的Rct值增大，达到65.25Ω，电催化性能下降.这与上述的J-V曲线分析相一致.