《表2 半导体桥电爆数据对比（22μF/16 V)》

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《瞬态电压抑制二极管对半导体桥换能元电爆特性影响的模拟》

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对比图6b中的模拟电流曲线（Isim）和实际电流曲线（Iexp），在爆发点（t2）之前无论是时域还是值域两条曲线基本吻合，爆发点后模拟电流衰减速度略低于实际曲线。进一步观察模拟电压曲线，发现模拟电压曲线（Vsim）存在典型的双峰结构，在爆发点（t2）之前模拟电压曲线和实际电压曲线（Uexp）基本吻合。而在爆发点处，模拟电压曲线的尖峰低于实际值。这是源于半导体桥在爆发瞬间，半导体桥阻抗的突变造成回路感应电压的剧烈波动。由于在建立器件模型时，对部分偏差较大数据进行了剔除和平滑处理，因此造成了爆发点处模拟结果和实际结果的差异。除电爆曲线外，半导体桥的爆发时间和爆发能量也是其电爆性能的关键参数，对比模拟和实际情况下的爆发时间和爆发能量，如表2所示。由表中结果可知，模拟结果和实际测试结果的爆发时间偏差为2.6%，爆发能量偏差为0.3%。为进一步验证模拟结果的可靠性，在22μF/16 V的同种放电条件下测试了5发半导体桥塞样品，其电爆曲线和R-E曲线如图7所示。