《表4“流水线”写操作与一般写操作对比》

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影响FLASH读写速度最大是写操作,因为对于写操作,数据写入需要经过数据加载和编程两个步骤,数据加载时长约205μs,编程时长约300~700μs,为了提高FLASH的读写能力,数传分系统采用了“流水线”的控制方式,如图3所示,对每个基片分别进行控制,在一个基片的一页数据加载完成后的编程期间,依次对下个基片的数据进行加载,而不是在一个基片完成数据加载和编程后,再进行下一个基片的数据编程和加载,详细比对见表4,“流水线”操作相对一般写操作效率提升64.3%。