《表3 共掺前后ZnS晶体的Ev、Ec和Eg Table 3 The Ev, Ecand Egfor the pure and codoped ZnS》

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《补偿型共掺杂ZnS电子特性的第一性原理计算》

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为阐明CuZn、ClS、BrS和IS掺杂ZnS可见光催化活性提高的起源，用DFT方法计算了纯ZnS、CuZnClS-ZnS、CuZnBrS-ZnS和CuZnIS-ZnS的电子性质。算得的纯ZnS、共掺ZnS的带结构和分态密度（PDOS）分别如图3和图4所示。假设费米能级设在价带顶能量值为0处，以便区分带隙和杂质原子态的相对位置。基于纯ZnS和共掺ZnS所计算的能带结构，Ev（价带顶能量）、Ec（导带底能量）和Eg（带隙值）如表3所示。