《表1 电压基准源性能比较》

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《一款应用于物联网芯片的皮安级CMOS电压基准源》

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本文在传统的双MOS管电压基准源基础上，基于0.18μm CMOS工艺，设计了一种新型的自稳压五MOS管电压基准源。Spectre仿真结果显示，0℃～120℃范围内，该自稳压五MOS管电压基准源的平均温度系数为39.2 ppm/℃；电源电压1.0 V～2.0 V范围内，该电压基准源的线性调整率为33.4 ppm/V；负载电容3 pF情况下，该电压基准的PSRR性能为-92 [email protected] Hz及-62 dB@100 Hz。另外，在该0.18μm CMOS工艺下，该电压基准的电流消耗仅为59 pA@27℃，版图面积仅为5 400μm2。与文献中的设计相比较，本设计的皮安级电压基准源可以应用于高电源噪声的物联网芯片设计中。