《表1 三栅FinFET模型仿真参数》

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《多栅Fin FET性能研究及参数优化》

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与传统平面器件相比，多栅FinFET呈三维结构，可实现栅极围绕沟道，有效减少漏电流。本次实验采用TCAD软件，利用结构编辑器生成n型Bulk FinFET模型，通过定义不同的栅极接触（前栅，背栅，顶栅），实现对器件栅极数量的控制，并将鱼鳍高度（Fh），鱼鳍宽度（Fw）及栅极长度（Lg）作为变量，研究不同参数下多栅器件的等比例缩小能力，确定先进制程节点下的最优参数。为了减少网格计算量，提高仿真效率，将栅极金属视为等电势材料，不将具体栅极画出而只在相应的位置定义接触样式，在器件仿真时赋予适当功函数（根据相关文献资料[9]，本次实验选取4.43作为n型FinFET的栅极功函数），具体多栅FinFET仿真模型如图1(a）所示。以三栅FinFET为例，图1(b）～图1(d）分别给出三栅FinFET俯视图、截面图及全貌图，其中紫色线条部分被定义为器件的栅极接触。表1给出三栅FinFET模型的具体仿真参数。