《表2 空载偏磁条件下无功损耗仿真结果》
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《基于PSCAD的特高压自耦变直流偏磁及无功损耗特性分析》
如图3所示仿真模型，三相自耦变压器组高压侧接额定电源，中压侧和低压侧空载情况下，测量并计算不同直流电流入侵时，单台特高压变压器无功损耗，结果见表2。
| 图表编号 | XD00101243800 严禁用于非法目的 |
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| 绘制时间 | 2019.10.16 |
| 作者 | 杨培宏、冯士伟、亢岚、李亚 |
| 绘制单位 | 内蒙古科技大学信息工程学院、内蒙古科技大学信息工程学院、内蒙古科技大学矿业与煤炭学院、内蒙古科技大学信息工程学院 |
| 更多格式 | 高清、无水印（增值服务） |
