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目录6

序6

引论7

第一章 现代半导体理论的要点11

§1　能带理论的概念11

§2　电子在能级上的统计分布。导体、绝缘体和半导体14

§3　能带理论的评论及其适用领域19

§4　接触电势差21

§5　能带的弯曲24

§6　晶体中的表面能级26

§7　理论中所遇到的常数的测定29

第二章 固体整流器的基本实验数据34

§8　固体整流器的类型及其制造34

§9　伏安特性曲线和伏欧特性曲线37

§10　整流器的电容和等效线路41

§11　滞后，蠕变和陈化43

§12　整流器封锁层本质的研究44

§13　用交流电流研究固体整流器47

第三章 半导体整流作用理论中所应用的基本方程式49

§14　一种载流子在稳定状态的情形49

§15　服从费密统计（部分简并）的粒子流的表达式53

§16　两种载流子在非稳定状态情形下的完全方程组57

§17　边界条件64

§18　解方程式的近似方法69

§19　电场，电势分布，载流子浓度和电压降的一般积分70

第四章　考虑一种载流子的金属与半导体接触理论74

§20　接触处各种现象的物理状态74

§21　具有给定体电荷的理论79

§22　杂质能级有储备的情况82

§23　杂质能级的部分耗尽86

§24　二极管理论91

§25　镜像力的计算94

§26　理论与实验的比较97

第五章　考虑两种载流子的金属与半导体接触的理论101

§27　计算方法和基本结果101

§28　电场和电压降的确定105

§29　接触区域的扩散方程式的解107

§30　复合区域的计算112

第六章 同一传导类型的两种半导体的接触118

§31　两种半导体接触的物理特性118

§32　原始方程式和计算法120

§33　弱电流区域125

§34　强电流区域129

§35　电导率数值极不同的两种半导体的接触133

§36　理论的物理基础136

第七章　混合传导性的两种半导体的接触136

§37　达维多夫的两种半导体接触的理论141

§38　零级近似的计算144

§39　接触区域的一级近似计算149

§40　复合区域的计算151

§41　电流的计算154

第八章　不同传导类型的两种半导体的接触158

§42　理论的物理基础158

§43　通过接触的电流的计算160

§44　系数A的大小的估计和浓度与x的关系的计算164

§45　对所得电流表达式的分析和欧姆电压降的估计169

第九章 两种半导体接触理论的各种方案的适用领域和174

与实验的比较174

§46　第七章和第八章中所作的计算的适用界限174

§47　两种半导体接触的实验数据178

§48　TiO2-Cu2O接触的数字例子183

§49　其他情况中接触特性曲线的解释188

第十章 半导体的电子-空穴结理论191

§50　引论191

§51　过渡区域中的电势分布和过渡电容193

§52　复合对过渡层伏安特性曲线的影响196

§53　简化的结的模型199

§54　理论与实验的比较201

第十一章　具有化学封锁层的固体整流器理论206

§55　固体整流器模型的选择和理论的物理基础206

§56　电场和电压降的确定211

§57　扩散方程式的解214

§58　复合区域的计算220

§59　简化的固体整流器理论222

§60　应用于各种类型的固体整流器的理论和与实验的定性比较227

§61　氧化亚铜整流器的数字例子229

第十二章　金属与半导体接触电阻的频率相倚性236

§62　频率相倚性的物理原因236

§63　载流子分布的弛豫238

§64　由于建立固定电荷浓度的滞后电容与频率的关系242

§65　离子运动的计算244

第十三章 固体整流器的动力学理论248

§66　理论的物理基础248

§67　原始方程式的简化251

§68　静力理论的应用范围257

§69　频率对固定电荷在封锁层中分布的影响260

§70　电场和电势的分布在中频范围263

§71　电流与频率的关系267

§72　数字的例子和结论270

结论　整流理论进一步发展的远景277

参考文献279