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目录1

出版说明1

前言1

绪论1

第1章pn结3

§1.1 pn结的形成和杂质分布3

§1.2 平衡pn结的空间电荷区和能带图5

§1.3 非平衡pn结9

§1.4 pn结的直流特性13

§1.5 pn结空间电荷区的电杨和电位分布24

§1.6 pn结的势垒电容29

§1.7 pn结小信号交流特性34

§1.8 pn结的开关特性38

§1.9 pn结的击穿特性40

第1章习题50

参考资料51

第2章 晶体管的直流特性52

§2.1 晶体管的基本结构及杂质分布52

§2.2 晶体管的放大机理54

§2.3 晶体管直流电流-电压方程60

§2.4 晶体管的电流放大系数68

§2.5 晶体管的反向电流77

§2.6 晶体管的击穿电压79

§2.7 晶体管的基极电阻83

第2章习题87

参考资料88

第3章 晶体管的频率特性89

§3.1 概述89

§3.2 晶体管交流特性的理论分析90

§3.3 晶体管的高频参数及其等效电路95

§3.4 共基极电流放大系数及其截止频率103

§3.5 共发射极短路电流放大系数及其截止频率112

§3.6 晶体管的高频功率增益和最高振荡频率117

§3.7 高频晶体管的散射参数——S参数121

第3章习题122

参考资料123

第4章 晶体管的功率特性124

§4.1 大注入效应124

§4.2 基区扩展效应132

§4.3 发射极电流集边效应138

§4.4 晶体管的最大耗散功率141

§4.5 二次击穿和安全工作区144

第4章习题149

参考资料150

第5章 晶体管的开关特性151

§5.1 开关晶体管的静态特性151

§5.2 Ebers-Moll模型及其等效电路153

§5.3 电荷控制模型及其等效电路159

§5.4 开关晶体管的过渡过程及开关参数163

§5.5 晶体管的开关时间164

第5章习题174

参考资料175

第6章 晶体管的噪声特性176

§6.1 概述176

§6.2 晶体管的噪声源177

§6.3 晶体管的噪声等效电路181

§6.4 晶体管的噪声系数182

第6章习题187

参考资料188

§7.1 概述189

第7章 晶体管设计189

§7.2 晶体管的纵向结构设计191

§7.3 晶体管的横向结构设计196

§7.4 晶体管的热学设计206

§7.5 晶体管设计举例208

参考资料216

第8章 结型栅场效应晶体管217

§8.1 基本工作原理217

§8.2 JFET的伏安特性220

§8.3 JFET的直流和交流参数223

§8.4 高场迁移率对器件特性的影响226

§8.5 JFET的频率特性231

§8.6 器件的噪声特性235

§8.7 JFET和MESFET的结构举例238

第8章习题242

参考资料243

第9章 MOS场效应晶体管244

§9.1 MOSFET的结构和类型244

§9.2 MOSFET的阈值电压248

§9.3 MOSFET的伏安特性254

§9.4 MOSFET的交流小信号参数263

§9.5 MOSFET的交流小信号等效电路和频率特性272

§9.6 MOSFET的噪声特性278

§9.7 MOSFET的击穿特性281

§9.8 MOSFET的功率特性和功率MOS器件结构288

§9.9 MOSFET的温度特性294

§9.10 短沟道效应297

§9.11 场效应晶体管的设计306

第9章习题311

参考资料312

附录314

Ⅰ 常用物理常数表314

Ⅱ 锗、硅、砷化镓、二氧化硅的重要性质314

Ⅲ 硅与几种金属的欧姆接触系数315

Ⅳ 余误差函数315

Ⅴ 锗硅电阻率与杂质浓度的关系317

Ⅵ 迁移率与杂质浓度的关系317

Ⅶ 硅扩散层表面杂质浓度与扩散层平均电导率的关系曲线318