《晶体管原理》求取 ⇩

目录1

第一章＊　半导体中的载流子1

§1-1　半导体的导电性1

§1-2　平衡载流子的统计1

§1-3　载流子的运动17

§1-4　非平衡载流子22

第二章 p-n结31

§2-1 p-n结的平衡状态31

§2-2 p-n结在正向电压下的特性36

§2-3 p-n结在反向电压下的特性42

§2-4 p-n结电容47

§2-5　p-n结的击穿57

第三章　半导体表面68

§3-1　表面电荷的来源68

§3-2　半导体的表面势和表面空间电荷70

§3-3　界面态75

§3-4　表面对p-n结二极管性能的影响80

§4-1　均匀基区晶体管的放大系数86

第四章 晶体管的直流特性86

§4-2　漂移晶体管的放大系数91

§4-3　理想晶体管的直流特性95

§4-4　共基极的反向特性99

§4-5　其它电压-电流特性105

§4-6　小信号参数112

§4-7　基极电阻与T形等效电路117

第五章 晶体管的几种结构128

§5-1　合金结晶体管128

§5-2　平面晶体管131

§5-3　平面管的几种具体结构154

§5-4　可控硅整流器160

§5-5　双基极二极管164

第六章 晶体管的频率特性169

§6-1　基区输运过程和频率的关系169

§6-2　电流放大系数与频率的关系177

§6-3　等效电路187

§6-4　最高振荡频率和高频晶体管的结构193

附录一　晶体管的参数200

附录二　基区少子连续性方程的解201

第七章 晶体管的大电流特性206

§7-1　大注入效应206

§7-2　基区扩展效应211

§7-3　发射极电流集边效应217

第八章　功率晶体管222

§8-1 晶体管的热阻和等效热路222

§8-2 晶体管的热击穿及其参数随温度和工作点的变化240

§8-3　二次击穿和安全工作区254

§8-4 高频和微波功率晶体管266

第九章 开关晶体管288

§9-1　二极管的开关特性288

§9-2　晶体管的开关作用和大信号特性293

§9-3　晶体管的开关过程296

§9-4　开关晶体管301

第十章 MIS结构的电容及稳定性305

§10-1　理想MOS结构的电容-电压特性（C-V特性）305

§10-2 实际MOS结构的C-V特性315

§10-3　MOS结构的不稳定性324

§10-4　MIS结构的不稳定性326

§10-5　MIOS非挥发性存储器334

第十一章 场效应晶体管345

§11-1　MOS晶体管的工作原理和特性345

§11-2　阈电压VT351

§11-3　MOS晶体管输出特性的数学分析357

§11-4　MOS晶体管的直流参数及其与温度的关系362

§11-5　MOS晶体管的小信号参数、等效电路及其频率特性366

§11-6　MOS倒相器电路的瞬态响应377

§11-7　MOS晶体管制造工艺387

§11-8　MOS晶体管性能的提高394

§11-9　结型场效应晶体管407

第十二章 晶体管的噪声413

§12-1　晶体管的噪声413

§12-2　晶体管的噪声源415

§12-3　双极型晶体管高频噪声系数的近似表达式420

§12-4　双极型高频低噪声晶体管428

§12-5　MOS晶体管的噪声436